掺杂Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏电阻片性能的影响

• 作者: 王玉平 马军
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻片 Y2O3掺杂 电位梯度 烧成温度 侧面绝缘
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TM862
• 字数: 1653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.2007.01.006

摘要

掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加.研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响.结果表明,在1 140 ℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300 V/mm的电位梯度和370 J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片.此外,以FSM为主成分的"F"无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玉平		23	187	8.0	13.0
2	马军		3	36	3.0	3.0