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Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation
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文献信息
| 篇名 | Raman Investigation of Damage in Si Induced by He-implantation | ||
| 来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 硅样品 离子注入机 损伤 植入 诱导 拉曼 能源研究所 中科院 | ||
| 年，卷（期） | 2007,（1） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 81 | |
| 页数 | 1页 | 分类号 | TN304.12 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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期刊影响力
中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报：英文版
主办单位：
Atomic
Energy
Physics
出版周期：
年刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
兰州市城关区南昌路509号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
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4411
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