一款异步256kB SRAM的设计

• 作者: 李红征 潘培勇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 存储单元 译码器 灵敏放大器 地址变化探测电路
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.004

摘要

在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展.文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李红征		7	13	3.0	3.0
2	潘培勇	江南大学信息工程学院	2	7	2.0	2.0