Bi4Ti3O12层状铁电薄膜的结构与性能研究

• 作者: 张鹰 朱俊 李言荣 王小平 罗文博
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: BIT 剩余极化 a轴择优
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 753-755
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1|O484.5
• 字数: 1875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.05.020

摘要

采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposition,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜.利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律.分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大.通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃.在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
3	朱俊	电子科技大学微电子与固体电子学院	34	102	5.0	6.0
4	罗文博	电子科技大学微电子与固体电子学院	25	79	5.0	6.0
5	王小平	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	11	2.0	3.0