长波长锗硅光电探测器的材料生长研究

• 作者: 张宇 李俊一 李欢 牛萍娟 王伟
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 探测器 应变层
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 406-409
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.05.010

摘要

介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性.然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法,随之给出了相关的实验结果,并对这4种方案进行了分析.最后对上述内容进行小结,并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通信工程学院	123	617	13.0	17.0
2	王伟	天津工业大学信息与通信工程学院	21	65	4.0	7.0
3	张宇	天津工业大学信息与通信工程学院	17	107	5.0	10.0
4	李俊一	天津工业大学信息与通信工程学院	4	18	3.0	4.0
5	李欢	天津工业大学信息与通信工程学院	5	27	3.0	5.0