Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响

• 作者: 张恩霞 张正选 杨慧
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SIMOX SOI Si离子注入 总剂量辐照效应 pseudo-MOS
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 323-326
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.002

摘要

为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨慧	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	9	111	7.0	9.0
2	张正选	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	56	4.0	6.0
3	张恩霞	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	22	3.0	4.0