GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

• 作者: 刘国军 曲轶 李梅 李辉 王玉霞
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 光致发光
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 885-889
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2851字
• 语种: 中文

摘要

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能.为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构, 采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300 K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性.在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm ,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现.在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	94	6.0	9.0
2	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
3	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
4	王玉霞	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	136	6.0	11.0
5	李梅	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0