惯性冲击对低真空封装的RF MEMS电容开关性能的影响

• 作者: 孙玲玲 徐小良 董林玺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 可靠操作条件 RF MEMS开关 低真空 机械冲击 空气阻尼
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 507-513
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 1635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.007

摘要

分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机械刚度常数以及外部惯性冲击引起的插入损耗可以根据该式得到.通过RF MEMS电容式开关实例,表明设计低真空封装的RF MEMS电容式开关时应考虑外部环境因素.可见,RF MEMS开关用低真空封装可以减小空气阻尼、改善开关速度和执行电压的同时,开关的性能却容易受外界环境因素的影响.该研究对低真空封装的RF MEMS电容式开关的优化设计很有意义.