MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用

• 作者: 丁同海
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高压电源/金属-氧化物-半导体场效应晶体管 四极管
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 装置与应用
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TN86|TN344
• 字数: 2888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2007.06.012

摘要

介绍了一种MOSFET的新用法.利用MOSFET截止区的漏电流ID随控制栅极电压UGS成指数关系的特性,将其串联在直流电源和四极管控制栅负载之间,通过UGS的变化来反馈控制MOSFET漏电流的大小,从而改变其负载与四极管控制栅电压的大小,最终实现四极管稳压调节输出恒定的高压给托卡马克加热用的NBI或ECH负载.驱动电源的单独调试和带动实际四极管负载的实验均表明,该设计稳定、可靠,构思巧妙,对托卡马克ECH和NBI加热所需的高压电源设计、研制具有很好的应用前景,同时也扩展了MOSFET的应用领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁同海	中国科学院等离子体物理研究所	12	74	6.0	8.0