NEA GaN光电阴极的制备及其应用

• 作者: 乔建良 常本康 田思 高有堂
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: NEA GaN 生长技术 电子束平版印刷术 紫外光光电探测器
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 微光技术
• 页码范围: 524-527
• 页数: 4页
• 分类号: TN223
• 字数: 3732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.09.008

摘要

近年来,随着晶体生长技术的发展,GaN基材料的生长技术与生长工艺取得了重大突破.基于NEA的GaN紫外光电阴极是非常理想的新型紫外光电阴极.本文重点探讨了NEA GaN光电阴极材料的金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和卤化物汽相外延(HVPE)等主流生长技术的优缺点,介绍了两步生长、横向外延生长及悬空外延技术等新工艺.讨论了GaN光电阴极的性能特点、制备方法以及在紫外光电探测器和电子束平版印刷术领域的应用状况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	高有堂	南京理工大学电子工程与光电技术学院	30	78	5.0	7.0
6	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
10	田思	南京理工大学电子工程与光电技术学院	16	99	6.0	9.0