量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

• 作者: 张国义 杨志坚 潘尧波 陆敏 陆羽 陈志忠
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 紫光二极管 MOCVD GaN 量子阱结构
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN304123
• 字数: 1392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009

摘要

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.