NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺

• 作者: 刘希 吉争鸣 吴培亨 孙静 康琳 昌路 赵少奇
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: 超导隧道结 NbN AlN 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 51-52,55
• 页数: 3页
• 分类号: O4|TM2
• 字数: 1642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2007.01.014

摘要

研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形.再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层.经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极.使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴培亨	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	93	237	8.0	12.0
2	孙静	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	16	101	7.0	10.0
3	昌路	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	4	2	1.0	1.0
4	康琳	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	57	212	8.0	12.0
5	刘希	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	5	38	2.0	5.0
6	赵少奇	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	5	49	3.0	5.0
7	吉争鸣	南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所	36	111	6.0	9.0