多晶硅与单晶硅的扩散比较

• 作者: 刘祖明 杜忠明
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 多晶硅 扩散
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 太阳能及利用
• 页码范围: 54-56,68
• 页数: 4页
• 分类号: TK531|TM919
• 字数: 2916字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9793.2007.01.014

摘要

相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显,在扩散温度较低时,多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅;在扩散温度较高时,多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅,文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖明	云南师范大学太阳能研究所	60	483	12.0	20.0
2	杜忠明	云南师范大学太阳能研究所	1	10	1.0	1.0