MOCVD生产GaN气相、表面反应的数值模拟

• 作者: 杨云柯 符松 陈海昕 高立华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CFD GaN MOCVD 气相反应 表面沉积速率
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 245-248
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 2423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.061

摘要

采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座不同温度布局方式对反应产物浓度分布和载片表面沉积速率等物理参数的影响,并对主要运行参数提出了优化建议,例如采用较低反应室高度、基座中心附近采用较低温度等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符松	清华大学工程力学系	84	740	14.0	24.0
2	陈海昕	清华大学工程力学系	39	279	9.0	14.0
3	杨云柯	清华大学工程力学系	2	25	2.0	2.0
4	高立华	清华大学工程力学系	3	30	2.0	3.0