采用逆导型IGBT的新型3A/600V DIP-IPM

• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模块 电力半导体器件/逆导型绝缘栅双极晶体管 双列直插式智能功率模块
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN31/387
• 字数: 2242字
• 语种: 中文

摘要

三菱电机日前已开发出一种采用新型功率硅片技术的3A/600V超小型双列直插式智能功率模块(IPM),即第4代DIP-IPM.该技术将续流二极管的硅片集成到IGBT硅片上,从而将模块内部的硅片数量减少了一半,使得IPM的可靠性更高,功率密度更大.在此,介绍了这种新技术以及3A/600V第4代DIP-IPM的设计和特性.