对功率器件击穿电压的模拟优化

• 作者: 傅义珠 王因生 赵普社
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅功率器件 击穿电压 扩散保护环 耗尽区腐蚀
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.10.010

摘要

文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压.文中对两种方法的相关参数进行了模拟优化,最终在浓度和厚度分别为9×1015 cm-3和3μm的外延材料上制作出击穿电压为55V的C波段20W功率器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王因生		17	78	6.0	8.0
2	傅义珠		16	37	4.0	5.0
3	赵普社		2	2	1.0	1.0