磁控溅射SiC薄膜及其电学特性研究

• 作者: 周继承 郑旭强
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC非晶薄膜 表面形貌 电子激活能 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 127-130
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN304.2|TN305.92
• 字数: 2609字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.02.010

摘要

本文用磁控溅射法(RMS)制备了SiC非晶薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线,对其导电机理进行了分析.结果表明:薄膜表面平整、结构紧凑;退火处理前后电阻R和温度T均满足表达式ln R ∝ΔW/kT,电子激活能ΔW的变化范围为0.0142 eV～0.0185 eV,分析推断确定在25 ℃至250 ℃其导电机理为定域态间近程跳跃电导;退火前后薄膜的电子激活能和电阻率有相同的变化趋势,均随退火温度的升高而增大,这为薄膜的导电机理和激活能随退火温度变化趋势的正确性提供了有力的证据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	郑旭强	中南大学物理科学与技术学院	6	60	4.0	6.0