蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究

• 作者: 冯志宏 刘波 尹甲运 梁栋 袁凤坡 许敏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相外延淀积,氮化镓 铝镓氮/氮化镓 异质结 二维电子气
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 497-500
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.06.010

摘要

通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料.室温下2DEG载流子面密度为1.21×10013/cm2,迁移率为1970 cm2/V·s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V·s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波		11	33	4.0	5.0
2	尹甲运		13	32	4.0	5.0
3	袁凤坡		3	13	3.0	3.0
4	冯志宏		4	21	3.0	4.0
5	梁栋		1	4	1.0	1.0
6	许敏		1	4	1.0	1.0