光电耦合器电流传输比的噪声表征

• 作者: 何亮 包军林 卫涛 庄奕琪 杜磊 胡瑾 陈春霞 黄小君
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 1/f噪声 光电耦合器 电流传输比 陷阱
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 597-603
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 4806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.024

摘要

光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	胡瑾	西安电子科技大学技术物理学院	4	55	3.0	4.0
3	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
4	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
5	包军林	西安电子科技大学微电子学院	43	306	10.0	16.0
6	黄小君	西安电子科技大学技术物理学院	3	31	3.0	3.0
7	陈春霞	西安电子科技大学技术物理学院	3	31	3.0	3.0
8	卫涛	西安电子科技大学技术物理学院	3	31	3.0	3.0