半导体热电材料Bi2Te3膜的电化学制备

• 作者: 任山 洪澜 罗婷
• 来源期刊: 中山大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料薄膜 碲化铋半导体 电化学沉积
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|O472.7
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2007.05.004

摘要

研究了不同沉积电位对电化学生长半导体热电材料Bi2Te3膜沉积过程、膜形貌、结晶性及相结构的影响.利用Ⅰ-Ⅴ循环扫描曲线分别研究了纯Bi3+、纯Te4+及其两种离子的混合溶液电化学特性;应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、电子能谱(EDS)对膜的微观表面形貌、相结构及成分进行了表征.研究表明:生长的样品为斜方六面体(rhombohedral)晶体结构的Bi2Te3,薄膜表面平整致密,为明显的柱状晶结构,具有(110)择优取向;沉积电位越接近还原峰最大电流处,膜的生长电荷效率越高,薄膜结晶性也越好.