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摘要:
以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚.从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考.
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文献信息
篇名 NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 NEA光电阴极 掺杂方式 激活工艺 性能评估 铟封工艺
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目 微光技术
研究方向 页码范围 136-139
页数 4页 分类号 TN219
字数 3188字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常本康 南京理工大学电子工程与光电技术学院 234 2020 19.0 30.0
2 高有堂 南京理工大学电子工程与光电技术学院 30 78 5.0 7.0
6 乔建良 南京理工大学电子工程与光电技术学院 26 177 9.0 11.0
10 田思 南京理工大学电子工程与光电技术学院 16 99 6.0 9.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
NEA光电阴极
掺杂方式
激活工艺
性能评估
铟封工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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