溅射法制备TiO2薄膜过程中靶中毒现象的消除及样品表征

• 作者: 李雪 王秩伟 谌家军 龚恒翔
• 来源期刊: 纳米科技
• 学科: 工学
• 关键词: TiO2薄膜 靶中毒 晶体结构 表面形貌
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米加工工艺
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文

摘要

用氧脉冲直流反应磁控溅射法,在载玻片衬底上制备了不同初始氧浓度和不同断氧时间Toff的多晶TiO2纳米薄膜,并对薄膜的厚度、晶体结构及表面形貌进行了研究.研究发现,脉冲式通氧能有效消除靶中毒,将薄膜沉积速率最大提高到3～5nm/min,并且当断氧时间大于30s时,沉积速率在2.5nm/min以上;薄膜的晶体结构和形貌随着氧浓度和断氧时间而变化,在初始氧浓度为30%、断氧时间为30s时,金红石结构样品具有最佳结晶程度,并且薄膜的表面平整、晶粒尺寸分布均匀,而锐钛矿结构的最佳结晶条件是氧浓度30%或50%、断氧时间20s.