Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化

• 作者: 夏冬梅 张荣 王琦 王荣华 谢自力 韩平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.002

摘要

用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子占据替位式格点,导致合金薄膜中的替位式C组分增加、间隙式缺陷减少,薄膜的晶体质量得到有效提高;相应地薄膜承受的张应力增大,外延层中Si(TO)声子模发生蓝移.