氧化层厚度对氘氚中子产额影响研究

• 作者: 刘文科 彭述明 曹小华 杨本福 王维笃 程贵钧 罗顺忠 龙兴贵
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氚化钛膜 氧化层 中子产额
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 665-667
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 1717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.08.007

摘要

对氚化钛膜表面氧化层厚度对氘氚中子产额的影响进行了理论与实验研究.理论计算表明,能量为120keV的氘核入射氚化钛膜的深度为833 nm,入射钛氧化层的深度为527-577 nm.实验结果表明,氧化层降低了氘氚反应的中子产额,且中子产额随氧化层厚度的增加而减小,氧化层厚度低于220nm,中子产额与氧化层厚度的线性关系为Y=(7.524-0.01326X)×106.