熔融硅液相浸渍法制备C/C-SiC复合材料

• 作者: 刘文川 汤素芳 王道岭 邓景屹
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合材料 熔融硅 液相浸渍 C/C-SiC复合材料 抗氧化
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 135-139
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2007.02.005

摘要

采用熔融硅液相浸渍法制备了C/C-SiC复合材料,反应生成的SiC主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2 h,硅化深度约为2～4 μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的SiC层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续SiC层和SiC粗晶粒形成机理.由于SiC的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王道岭	中国科学院金属研究所	4	32	4.0	4.0
2	汤素芳	中国科学院金属研究所	9	59	5.0	7.0
3	邓景屹	中国科学院金属研究所	14	184	9.0	13.0
4	刘文川	中国科学院金属研究所	14	192	9.0	13.0