单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-H(a)nchen位移

• 作者: 曾伦武
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: Goos-H(a)nchen效应 全反射 正负磁导率 正负电容率
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 教学研究
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: O43.1
• 字数: 1231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0712.2007.04.006

摘要

推导了Goos-H(a)nchen位移的表达式,讨论了光线从双正介质(电容率ε＞0,磁导率μ＞0)或双负介质(ε＜0,μ＜0)中入射到双正介质、双负介质或单负介质(ε＞0,μ＜0或ε＜0,μ＞0)界面的Goos-H(a)nchen效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾伦武	南京农业大学工学院	21	31	3.0	5.0