不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质

• 作者: 公维炜 胡学兵 郑著宏 郑金桔 高威
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: S-K模式 自组织生长 CdSe量子点 发光
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 724-729
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2758字
• 语种: 中文

摘要

利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光.稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时,宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应.通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布[1].

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑著宏	中国科学院激发态物理重点实验室	14	42	3.0	6.0
2	高威	中国科学院激发态物理重点实验室	3	7	1.0	2.0