钇掺杂对ZnO电阻片微观结构和电性能的影响

• 作者: 成茵 洪秀成 肖汉宁 黄彩清
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO电阻片 硼酸 钇掺杂 电位梯度
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TM862
• 字数: 2323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8337.2007.04.007

摘要

研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况.结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210 V/mm提高到422.5 V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA.掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大.添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖汉宁	湖南大学材料与工程学院	169	1990	24.0	35.0
3	黄彩清	湖南大学材料与工程学院	6	23	3.0	4.0
6	成茵	长沙理工大学材料科学与工程学院	17	51	4.0	6.0
7	洪秀成	长沙理工大学材料科学与工程学院	5	14	2.0	3.0