ICP刻蚀硅模板用于PDMS规则超疏水表面的制作

• 作者: 张润香 张玉龙 林华水
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: ICP刻蚀 硅模板 PDMS 超疏水
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 264-268
• 页数: 5页
• 分类号: O647
• 字数: 2548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2007.03.007

摘要

在ICP(inductively coupled plasma)刻蚀后的硅模板上复制聚二甲基硅氧烷(PDMS),经剥离得到含有一定尺寸的规则微柱阵列疏水表面.实验表明,当微柱高度较小时,微柱高度和边长对接触角有正影响,而间距则呈负影响;但如微柱高度较大,则高度对接触角的影响趋小,而边长呈负影响.间距对接触角的影响表现复杂.微柱间距6μm,边长14μm和高14μm微柱阵列的PDMS表面,静态接触角最大,约151°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉龙	厦门大学萨本栋微机电中心	7	42	4.0	6.0
2	林华水	厦门大学化学化工学院化学系	7	81	4.0	7.0
3	张润香	厦门大学化学化工学院化学系	1	8	1.0	1.0