半导体薄膜场发射中的膜厚影响

• 作者: 严辉 段志强 王如志 王波 袁瑞场
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射膜厚影响 有效隧穿势垒面积 散射衰减
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 256-262
• 页数: 7页
• 分类号: O462.4|TN873.95
• 字数: 4533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.02.022

摘要

考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响.结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室	178	1225	16.0	29.0
2	王波	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室	80	638	11.0	23.0
3	王如志	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室	48	136	6.0	10.0
5	段志强	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室	2	6	1.0	2.0
8	袁瑞场	北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室	1	5	1.0	1.0