PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究

• 作者: 吴家刚 张青磊 朱基亮 朱建国 肖定全 谭浚哲
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: (Pb0.90La0.10)Ti0.975O3 铁电薄膜 射频磁控溅射 剩余极化强度 热释电系数
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 704-706
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2007.06.025

摘要

采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能.实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76 μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8 C/cm2·K.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱基亮	四川大学材料科学系	22	85	4.0	8.0
2	肖定全	四川大学材料科学系	178	2267	24.0	42.0
3	朱建国	四川大学材料科学系	124	1424	17.0	35.0
4	吴家刚	四川大学材料科学系	20	42	4.0	5.0
5	谭浚哲	四川大学材料科学系	3	6	1.0	2.0
6	张青磊	四川大学材料科学系	3	6	1.0	2.0