原子量级条件下单晶硅磨削过程中的亚表面损伤

• 作者: 康仁科 郭东明 郭晓光 金洙吉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学仿真 磨削 亚表面损伤 单晶硅
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1353-1358
• 页数: 6页
• 分类号: TG580.1
• 字数: 626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.09.005

摘要

应用分子动力学仿真研究了原子量级条件下磨粒钝圆半径、磨削深度和磨削速度对单晶硅磨削后亚表面损伤层深度的影响.分子动力学仿真结果表明:在磨削深度和磨削速度相同情况下,随着磨粒钝圆半径的减小,损伤层深度和硅原子间势能亦减小.随着磨削深度的增大,损伤层深度和硅原子间势能增大.在磨削深度和磨粒钝圆半径相同的情况下,在20～200 m/s范围内,磨削速度对单晶硅亚表面损伤影响很小,说明分子动力学仿真对磨削速度的变化不敏感,因此可以适当提高仿真速度,从而缩短仿真时间和扩大仿真规模.单晶硅亚表面损伤主要是基于硅原子间势能的变化,并通过超精密磨削实验进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
4	郭晓光	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	25	224	9.0	14.0