晶体面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响

• 作者: 井源源 刘艳辉 孟亮
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 FeS2 晶体缺陷 载流子浓度 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.015

摘要

采用Fe膜热硫化技术制备了具有不同比表面积和比晶界面积的FeS2薄膜,并测定其载流子浓度和电阻率,研究了FeS2薄膜表面和晶界等面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响.结果表明,表面和晶界两种面缺陷对FeS2薄膜的电学性能有类似的影响规律.在一定范围内,随着薄膜比表面积和比晶界面积的增大,载流子浓度提高而电阻率下降.面缺陷数量的变化可导致FeS2晶体中点缺陷数量、禁带中缺陷能级密度、不充分相变产物比例和相变应力水平的变化,从而导致载流子浓度和电阻率的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟亮	浙江大学材料与化学工程学院	74	680	15.0	21.0
2	刘艳辉	浙江大学材料与化学工程学院	17	117	6.0	10.0
3	井源源	浙江大学材料与化学工程学院	2	4	1.0	2.0