CdTe多晶薄膜制备及后处理对CdS/CdTe界面的影响

• 作者: 冯良桓 夏庚培 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdTe多晶薄膜 界面 微结构 光能隙
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 131-134
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.02.011

摘要

采用近空间升华法分别在玻璃、CdS及CdS1-xTex衬底上沉积了CdTe多晶薄膜,通过原子力显微镜的观察和X射线衍射的分析,比较了它们的微结构.结果表明,用CdS和CdS1-xTex多晶薄膜作为衬底沉积的CdTe多晶薄膜结构与衬底相似,具有(111)面择优取向.通过对在不同氧分压下进行后处理的CdS/CdTe薄膜的断面及光能隙的研究,发现在氮氧(4∶1)气氛下后处理的薄膜CdS层明显减薄,这样的结果有利于改善CdTe太阳电池的光谱响应,增加载流子收集.我们认为氧在退火中促进了CdS/CdTe界面互扩散,扩散的结果不仅弥补了CdS、CdTe间的晶格失配,而且降低了界面的位错密度,并获得了面积为0.52 cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜电池.