基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

• 作者: 徐静萍 来新泉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: LDO线性稳压器 旁路滤噪 低噪声 动态补偿
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1056-1059
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.12.012

摘要

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.