铝锆碳质滑板中SiC晶须形成机理

• 作者: 白晨 黄志明
• 来源期刊: 钢铁研究
• 学科: 工学
• 关键词: SiC晶须 机理 铝锆碳滑板
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: TQ175.75
• 字数: 2377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1447.2007.03.003

摘要

以铝锆碳滑板基质部分为研究对象,以金属硅粉、石墨和碳黑为原料,混合后在埋碳气氛下,于1 200～1 600℃范围内进行高温处理.通过透射电镜和能谱仪分析,研究发现碳化硅晶须为哑铃状,并且随着热处理温度升高,哑铃状小球慢慢减少,在这个过程中,SiC晶须的生长机理为气-固反应模型.