热预处理对中子辐照直拉硅中热施主的影响

• 作者: 杨帅 邓晓冉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中子辐照 热施主 直拉硅 辐照缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 200-203
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.011

摘要

对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650 ℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帅	天津理工大学理学院	12	44	3.0	6.0
2	邓晓冉	天津工程师范学院数理系	5	40	2.0	5.0