InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As RTD的研制

• 作者: 刘岳巍 商耀辉 杨克武 杨瑞霞 武一宾 高金环
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 分子束外延 台面结构 InP衬底 峰-谷电流比
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 573-575
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.2
• 字数: 1442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.019

摘要

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105 A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	武一宾	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	39	4.0	4.0
4	高金环	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	12	2.0	2.0
5	商耀辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	14	20	2.0	2.0
6	刘岳巍		5	4	2.0	2.0