LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

• 作者: 揭荣金 马凤岚
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: LDMOS 温度特性 功率放大器 偏置电路
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 经验交流
• 页码范围: 769-771
• 页数: 3页
• 分类号: TN72
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2007.06.030

摘要

LDMOS功率放大器热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模式的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应得偏置电路设计.实验结果证实了偏置电路的仿真设计方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭荣金		4	2	1.0	1.0
2	马凤岚		3	1	1.0	1.0