表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响

• 作者: 刘诗嘉 庄春泉 朱龙源 李向阳 汤英文 游达 许金通 龚海梅
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 阳极氧化 微波光电导衰退法 俄歇电子能谱 光导型探测器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.020

摘要

采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命.利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化.结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D·优于常规方法制作的器件.