LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究

• 作者: 冯永生 刘元安
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 横向扩散金属氧化物半导体 功率放大器 记忆效应 互调失真
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 2572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.01.008

摘要

以横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)场效应管射频功率放大器为例,介绍了LDMOS FET电热效应模型,理论推导了LDMOS FET的结温与其耗散功率的量化关系,揭示了射频功率放大器电热记忆效应产生的本质原因.仿真和实验结果直观描述了电热记忆效应对放大器性能的影响,在此基础上提出了减少电热记忆效应的一般方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘元安	北京邮电大学电信工程学院	192	1285	17.0	26.0
2	冯永生	北京邮电大学电信工程学院	7	39	3.0	6.0