REBULF LDMOS实验结果及具有部分n+浮空层结构的分析

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴 黄勇光
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS n+浮空层 REBULF效应 击穿电压
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1262-1266
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.019

摘要

分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n+浮空层的作用,但暴露于表面的n+p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了具有部分n+浮空层的REBULF LDMOS结构,此结构不但具有降低体内电场的REBULF效应,而且终止于源端体内的n+p结解决了文献[10]中的大漏电流问题.分析结果表明,击穿电压较一般RESURF LDMOS结构提高60%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波		206	1313	17.0	26.0
2	李肇基		85	958	14.0	28.0
3	段宝兴		1	0	0.0	0.0
4	黄勇光		1	0	0.0	0.0