化学机械抛光中抛光垫作用分析

• 作者: 常秋英 张朝辉 杜永平 雒建斌
• 来源期刊: 北京交通大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 抛光垫 抛光液 流动模型 粗糙度 压力波动
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 机械工程
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TH117
• 字数: 2391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0291.2007.01.005

摘要

化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路(integrated circuit,IC)中起重要作用的一门技术.抛光垫是CMP性能的主要影响因素.这里建立了一个初步的二维流动模型以考虑抛光垫的弹性、孔隙参数、粗糙度以及晶片形状等因素对抛光液流动性能的影响,并通过数值模拟得出了它们对压力分布和膜厚等的作用.结果表明:由于抛光垫的变形和多孔性,承载能力将有所下降,膜厚增大,从而有利于抛光液中粒子和磨屑的带出.晶片表面曲率的变化对压力和膜厚的作用也很明显,全膜条件粗糙度的存在将引起流体压力的波动.研究为设计CMP中合适的抛光垫参数提供了初步的理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张朝辉	北京交通大学机械与电子控制工程学院	30	292	11.0	16.0
2	杜永平	北京交通大学机械与电子控制工程学院	21	302	10.0	17.0
3	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0
4	常秋英	北京交通大学机械与电子控制工程学院	22	219	9.0	14.0