双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验

• 作者: 张文栋 张斌珍 熊继军 薛晨阳 谢斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳机电器件 力电耦合 单轴压力 双势垒量子阱
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1211-1215
• 页数: 5页
• 分类号: O484.2
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.009

摘要

用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温下随着外加压力变化的I-V曲线.测试结果表明:量子阱薄膜I-V曲线的共振峰在(110)方向单轴应力作用下向正偏压方向漂移,在(110)方向应力作用下向负偏压方向偏移,并分析了量子阱薄膜力电耦合效应的物理成因.该结果与基于量子阱力电耦合特性的介观压阻理论的研究结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学电子测试技术国家重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	薛晨阳	中北大学电子测试技术国家重点实验室	136	765	14.0	21.0
3	熊继军	中北大学电子测试技术国家重点实验室	111	702	13.0	19.0
4	张斌珍	中北大学电子测试技术国家重点实验室	107	535	12.0	18.0
5	谢斌	中北大学电子测试技术国家重点实验室	5	93	4.0	5.0