磁场辅助等离子体增强化学气相沉积

• 作者: 邱凯 陈家荣 陈文锦 马文霞
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅 磁场 沉积速率 折射率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 26-28
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 字数: 1367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.01.006

摘要

本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律,以及磁场对等离子体内部电子的作用原理,设计了磁场辅助的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,并且研究了在PECVD系统中获得均匀磁场的方法.而后,以SiH4和N2为反应气体,在低气压下沉积了SiN薄膜.测量了SiN薄膜的沉积速率,折射率,表面形貌等参数.验证了磁场分布的均匀性,分析了磁场在等离子体增强化学气相沉积系统中的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈家荣	中国科学院固体物理研究所	1	11	1.0	1.0
2	陈文锦	中国科学院固体物理研究所	1	11	1.0	1.0
3	邱凯	中国科学院固体物理研究所	3	14	2.0	3.0
4	马文霞	中国科学院固体物理研究所	1	11	1.0	1.0