磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电膜的性能研究

• 作者: 乔学亮 李世涛 王国锋 贾芳 陈建国
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 AZO/Ag/AZO 透光导电膜 透射率
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2007.12.008

摘要

选择Zn02与A1203质量比为97:3的靶材为溅射源,用射频磁控溅射法室温下在玻璃基底上沉积AZO/A～AZO薄膜,讨论了氧流量变化对薄膜透光率、方阻及表面形貌的影响并深入分析了机理.研究结果表明,氧流量变化会导致薄膜沉积厚度的变化,氧流量为4时薄膜沉积速率最快.沉积AZO时充入氧气会使整个膜系的透光率不随Ag层增厚明显降低,并且会使膜系的方阻降低.在最优氧流量为4L/min(标准状态下,下同)上下各沉积59nm的AZO与氧流量为0时沉积33nm银层相匹配的复合膜在可见光区(包括基底)的透光率达到90%,方阻为2.5Ω/□.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建国	华中科技大学模具技术国家重点实验室	117	1905	22.0	38.0
2	乔学亮	华中科技大学模具技术国家重点实验室	89	1799	21.0	38.0
3	李世涛	华中科技大学模具技术国家重点实验室	16	435	11.0	16.0
4	贾芳	深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室	9	34	3.0	5.0
5	王国锋	华中科技大学模具技术国家重点实验室	2	70	2.0	2.0