多孔硅残余应力的研究

• 作者: 亢一澜 梁继然 窦雁巍 胡明 雷振坤
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 残余应力 微拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 15-17,19
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2007.06.005

摘要

利用电化学腐蚀的方法在p型单晶硅(100)衬底上制备了多孔硅薄膜.利用微拉曼光谱法分别测量了处于湿化-干燥-再湿化3个阶段的多孔硅薄膜的拉曼频移,对多孔硅内应变引起的频移改变量和纳米硅晶粒因声子限制效应引起的频移改变量进行分离,找到多孔硅薄膜残余应力与拉曼频移之间的关系式.利用这一关系式,对不同孔隙率的多孔硅薄膜的残余应力进行了计算,获得了和声子模型拟合方法相一致的结果.研究中发现,多孔硅表面残余应力随孔隙率的增加而线性增大,其原因为随着孔隙率的增加,多孔硅晶格常数增大,且干燥过程中残液的蒸发产生的毛细应力使多孔硅薄膜与基体硅间晶格错配程度增大造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	亢一澜	天津大学机械学院	56	896	16.0	29.0
2	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
3	梁继然	天津大学电子信息工程学院	31	108	6.0	8.0
4	窦雁巍	天津大学电子信息工程学院	13	165	8.0	12.0
5	雷振坤	大连理工大学力学系	34	188	6.0	13.0