双路36V低损耗电源通路控制器驱动大型PFET

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 大电流电源 控制器 通路 驱动 双路 TECHNOLOGY 低损耗 P沟道MOSFET
• 年，卷（期）: dysjb_2007,（1）
• 页码范围: 79
• 页数: 1页
• 分类号: TN86

摘要

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出坚固的双路”理想二极管”电源通路（PowerPathTM）控制器LTC4416和LTC4416-1，用于在电源切换电路中驱动小型和大型栅电容P沟道MOSFET。该器件的控制电路允许两个电源协同运作，从而确保了这些电源的高效或″操作。LTC4416和LTC4416—1的控制PFET具有25mV的正向电压，这明显地低于肖特基二极管的正向电压，因此延长了电池寿命，同时降低了功耗和热量。应用包括从多个输入电源获取功率的系统，如大电流电源通路开关、不间断电源、电池备份系统、具有电池备份电源的应急系统、逻辑控制电源开关以及汽车和工业系统。