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摘要:
研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.
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文献信息
篇名 表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 王水 p-GaN Ni/Au XPS 比接触电阻率
年,卷(期) 2007,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 545-547
页数 3页 分类号 TN304.2+3
字数 1341字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.139
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研究主题发展历程
节点文献
王水
p-GaN
Ni/Au
XPS
比接触电阻率
研究起点
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
eng
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