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表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响
表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响
作者:
Zhao Desheng
张书明
张宝顺
朱建军
杨辉
段俐宏
赵德刚
赵德胜
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
王水
p-GaN
Ni/Au
XPS
比接触电阻率
摘要:
研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.
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牺牲Ni处理
Ni插入层
表面费米能级
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
王水
p-GaN
Ni/Au
XPS
比接触电阻率
年,卷(期)
2007,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
545-547
页数
3页
分类号
TN304.2+3
字数
1341字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.139
五维指标
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节点文献
王水
p-GaN
Ni/Au
XPS
比接触电阻率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
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