碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响

• 作者: 傅竹西 张华荣 苏剑峰 郑海务 郭凤丽 顾玉宗
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 3C-SiC薄膜 微结构 表面形貌
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1118-1122
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.031

摘要

通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC(100)薄膜.SiC(200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加.选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向.典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错.表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	郑海务	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	21	112	5.0	9.0
4	张华荣	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	11	23	3.0	4.0
7	郭凤丽	河南大学物理与电子学院微系统物理研究所	1	0	0.0	0.0
8	苏剑峰	中国科学技术大学物理系	5	14	2.0	3.0
9	顾玉宗	中国科学技术大学物理系	7	66	5.0	7.0